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CEP85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,90A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-263&TO-220package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 25V,90A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-263&TO-220package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 25V,90A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-263&TO-220package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,90A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-263&TO-220package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,80A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED85A3	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 25V,80A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP85A3产品属性

类型
描述
型号
CEP85A3
制造商
CET
制造商全称
Chino-Excel Technology
功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更新时间：2024-4-19 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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