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BUV22价格

参考价格：￥39.1476

型号：BUV22G 品牌：ONSemi 备注：这里有BUV22多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BUV22批发/采购报价，BUV22行情走势销售排行榜，BUV22报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BUV22

40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 250 VOLTS 250 WATTS

...designedforhighcurrent,highspeed,highpowerapplications. •HighDCcurrentgain:HFEmin.=20atIC=10A •LowVCE(sat):VCE(sat)max.=1.0VatIC=10A •Veryfastswitchingtimes: TFmax.=0.35µsatIC=20A

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
BUV22

SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

Thisdeviceisdesignedforhighspeed,highcurrent,highpowerapplications. Features •HighDCCurrentGain: hFEmin=20atIC=10A •LowVCE(sat),VCE(sat) max=1.0VatIC=10A •VeryFastSwitchingTimes: TFmax=0.35satIC=20A •Pb−FreePackageisAvail

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BUV22

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=10A •HighSwitchingSpeed •HighDCCurrentGain- :hFE=20(Min.)@IC=10A APPLICATIONS •Designedforhighcurrent,highspeed,highpower applications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BUV22

封装/外壳：TO-204AE 包装：托盘 描述：TRANS NPN 250V 40A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BUV22

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件：10.97 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
BUV22

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

文件：70.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BUV22_06

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

文件：70.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI
BUV22G

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

文件：70.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BUV22G

封装/外壳：TO-204AE 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 250V 40A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

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BUV22产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUV22

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 40A 250V 250W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BUV22供应商更多...

更新时间：2024-4-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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