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位置：首页 > IC中文资料第1210页 > BUT11APX

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BUT11APX

Silicon Diffused Power Transistor

GENERALDESCRIPTION Enhancedperformance,newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.Featuresexceptionaltolerancetobasedriveandcollectorcurrentloadva

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BUT11APX

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·HighVoltage ·HighSpeedSwitching APPLICATIONS ·Converters ·Inverters ·Switchingregulators ·Motorcontrolsystems

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BUT11APX-1200

Silicon Diffused Power Transistor

GENERALDESCRIPTION Enhancedperformancenewgeneration,highvoltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.Featuresexceptionaltolerancetobasedriveandcollectorcurrentloadvari

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BUT11APX,127

封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：散装 描述：TRANS NPN 450V 5A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BUT11APX-1200,127

封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：散装 描述：TRANS NPN 550V 6A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

BUT11APX产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUT11APX

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT RAIL PWR-MOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BUT11APX供应商更多...

更新时间：2024-4-23 17:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳和润天下电子科技有限公司
BUT11APX
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