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IGBTPowerModule(Powermodule3-phasefull-bridgeIncludingfastfree-wheeldiodes)

•Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

IGBTPowerModule(Powermodule3-phasefull-bridgeIncludingfastfree-wheeldiodesPackagewithinsulatedmetalbaseplate)

IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate •E3226:longterminals,limitedcurrentperterminal

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS

封装/外壳:模块 包装:托盘 描述:IGBT MOD 1200V 50A 350W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IGBTPowerModule(Powermodule3-phasefull-bridgeIncludingfastfree-wheeldiodes)

IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENS

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SIEMENS

BSM50GD120DN2E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM50GD120DN2E

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-4-19 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
欧派克
23+
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20000
全新原装假一赔十
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全新原装正品现货,假一赔佰
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