您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第1048页 > BF998

BF998价格

参考价格：￥0.2300

型号：BF998 品牌：SIEMENS 备注：这里有BF998多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BF998批发/采购报价，BF998行情走势销售排行榜，BF998报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BF998

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998

SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz)

Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BF998

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BF998

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode

文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998

SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs

文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BF998A

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998B

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998R

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998R

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998R

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BF998RA

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RAW

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RB

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RBW

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RW

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998W

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998W

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)

•Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlownoise,gain-controlledinputstagesupto1GHzReversepinoutversionofBF998

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BF998WR

N-channeldual-gateMOS-FET

DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackagewithsourceandsubstrateinterconnected.Thetransistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES •Highforward

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BF998WR

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BF998,235

封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BF998_07

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode

文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998_08

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998_15

SiliconN-channeldual-gate

文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BF998_2015

SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs

文件：85.28 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BF998A

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998A-GS08

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998E6327HTSA1

封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA 包装：托盘 描述：MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998R

SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs

文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BF998R

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)

文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BF998R

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998R

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode

文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BF998RA

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RA-GS08

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RAW

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RAW-GS08

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RBW

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RBW-GS08

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998RW

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998WR

N-channeldual-gateMOS-FET

文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BF998WR_15

N-channeldual-gateMOS-FET

文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
BF998WR_2015

N-channeldual-gateMOS-FET

文件：82.78 Kbytes Page：12 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
AS998

ICintendedforuseasaPWMcontroller

文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

BF998产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BF998

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    MOSFET, N, RF, DUAL-GATE, SOT-143

  • 制造商

    VISHAY SEMICONDUCTOR

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    RF MOSFET N-Channel 12V 0.03A SOT143

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    RF MOSFET N-Ch 12V 30mA Dual Gate SOT143

BF998供应商更多...

更新时间：2024-4-23 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
BF998
INFINEON
2016+
SOT143
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
BF998
INFINEON
20+
SOT143
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
BF998
INFINEON/英飞凌
23+
SOT143
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市华睿芯科技有限公司
BF998
infineon
23+
SOT143
20000
原厂原装正品现货
询价
深圳市正迈科技有限公司
BF998E6327
INFINEON
23+
原封 □
21500
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
BF998RE6327
INFINEO
21+
VQFN
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
询价
深圳市宇集芯电子有限公司
BF998
NXP/恩智浦
23+
SOT-143
6000
终端可以免费供样,支持BOM配单
询价
深圳市振宏微科技有限公司
BF998
PHI
23+
NA
6858
专做原装正品,假一罚百!
询价
深圳市博浩通科技有限公司
BF998A-GS08
VISHAY
23+
SOT143
7500
全新原装,优势现货
询价
深圳市高捷芯城科技有限公司
BF998R
NXP(恩智浦)
23+
标准封装
9048
全新原装正品/价格优惠/质量保障
询价

BF998芯片相关品牌

  • AMPHENOL
  • CK-COMPONENTS
  • DDK
  • GLENAIR
  • MACOM
  • Mitsubishi
  • MOLEX6
  • Panasonic
  • POWERDYNAMICS
  • RHOMBUS-IND
  • TELEDYNE
  • YAMAICHI

BF998规格书下载地址

BF998参数引脚图相关

BF998数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示