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位置：首页 > IC中文资料第759页 > BCX56-10

BCX56-10价格

参考价格：￥0.2652

型号：BCX56-10,115 品牌：NXP 备注：这里有BCX56-10多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BCX56-10批发/采购报价，BCX56-10行情走势销售排行榜，BCX56-10报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BCX56-10

NPNmediumpowertransistors

DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BCX51,BCX52andBCX53. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesofaudioandvideoamplifiers.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BCX56-10

NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent)

Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BCX56-10

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51...BCX53(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BCX56-10

NPNMediumPowerTransistors

Features ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

FEATURES •Highcurrent •Lowvoltage •Mediumpowergeneralpurposes •Driverstagesofaudioamplifiers.

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •CollectorCurrent:ICM=1.0A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=100V •Marking:BCX56=BH,BCX56-10=BK,BCX56-16=BL •EpoxymeetsU

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
BCX56-10

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH
BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) •CollectorCurrent:ICM=1.0A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=100V •Marking:BCX56=BH,BCX56-10=BK,BCX56-16=BL •EpoxymeetsU

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
BCX56-10

NPNSiliconAFTransistors

FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

BWTECHBruckewell Technology LTD

布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司

BWTECH
BCX56-10

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Generaldescription NPNmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■Low-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BCX56-10

NPNSiliconAFTransistors

FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
BCX56-10

NPNTRANSISTOR

VOLTAGE45~80.0VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).

NIUHANG

Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD

NIUHANG
BCX56-10

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BCX56-10

80V,1ANPNmediumpowertransistors

1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability 3.Applications •Li

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BCX56-10

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ®PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 ®LowVoltage ®HighCurrent APPLICATIONS ®DriverStagesofAudioAmplifiers

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
BCX56-10

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 LowVoltage HighCurrent APPLICATIONS DriverStagesofAudioAmplifiers

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI
BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

文件：260.63 Kbytes Page：2 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
BCX56-10

NPNmediumpowertransistor

文件：591.06 Kbytes Page：2 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
BCX56-10

ForAFdriverandoutputstages

文件：526.17 Kbytes Page：8 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

文件：1.88778 Mbytes Page：5 Pages

JINGHENG

Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

JINGHENG
BCX56-10

SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR

文件：290 Kbytes Page：2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
BCX56-10-BK

SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS

SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS

Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex
BCX56-10-Q

80V,1ANPNmediumpowertransistors

1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Qualifiedaccordingt

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BCX56-10R1

NPNSiliconEpitaxialTransistor

NPNSiliconEpitaxialTransistor TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT-89package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. •HighCurrent:1.0Amp •Availablein7inch/1000unitTape

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BCX56-10T

80V,1APNPpowerbipolartransistors

Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BCX56-10T

80V,1ANPNpowerbipolartransistors

Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BCX56-10,115

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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NEXPERIA
BCX56-10,135

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC56-10PA

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •AEC-Q101qual

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC56-10PA

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC56-10PA-Q

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •Qualifiedacc

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NEXPERIA
BC56-10PAS

45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits *HighcollectorcurrentcapabilityICand ICM *Threecurrentgainselections *ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements *LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC56-10PAS

45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors

文件：1.40285 Mbytes Page：14 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

BCX56-10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BCX56-10

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

BCX56-10供应商更多...

更新时间：2024-4-23 19:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BCX56-10R1
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BCX56-10
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