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位置：首页 > IC中文资料第12814页 > 70V3579S6BC

70V3579S6BC价格

参考价格：￥400.1347

型号：70V3579S6BCI 品牌：IDT 备注：这里有70V3579S6BC多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，70V3579S6BC批发/采购报价，70V3579S6BC行情走势销售排行榜，70V3579S6BC报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
70V3579S6BC

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S6BC

封装/外壳：256-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S6BC8

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S6BCI

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S6BCI8

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S6BCG

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S6BCG

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S6BCG8

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：208.64 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S6BCG8

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S6BCGI

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70V3579S6BCGI

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70V3579S6BCGI8

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S6BCGI8

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

文件：184.83 Kbytes Page：17 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
70V3579S6BCI

封装/外壳：256-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

70V3579S6BC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    70V3579S6BC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

70V3579S6BC供应商更多...

更新时间：2024-4-25 11:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
讯运(深圳/上海)电子有限公司
70V3579S6BC
RENESAS(瑞萨)/IDT
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CABGA-256(17x17)
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可订货,请确认
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深圳市鼎欣微电子有限公司
70V3579S6BC
INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGY
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21000
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