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AirfastRFPowerLDMOSTransistor

Designedforhandheldtwo−wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge−signal,common−sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features •Characterizedforoperationf

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

Ultra-LowESR,HighQ,NPORFMicrowaveCapacitors

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RFPowerGaNTransistor

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更新时间:2024-4-23 17:36:01
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23+
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