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2SK3378ENTR-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching

Features •Lowon-resistance RDS=2.7Ωtyp.(VGS=10V,ID=50mA) RDS=4.7Ωtyp.(VGS=4V,ID=20mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(CMPAK)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching

Features •Lowon-resistance RDS=2.7Ωtyp.(VGS=10V,ID=50mA) RDS=4.7Ωtyp.(VGS=4V,ID=20mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(CMPAK)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching

Features •Lowon-resistance RDS=2.7Ωtyp.(VGS=10V,ID=50mA) RDS=4.7Ωtyp.(VGS=4V,ID=20mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(CMPAK)

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedSwitching

Features •Lowon-resistance RDS=2.7Ωtyp.(VGS=10V,ID=50mA) RDS=4.7Ωtyp.(VGS=4V,ID=20mA) •4Vgatedrivedevice. •Smallpackage(CMPAK)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

2SK3378ENTR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3378ENTR-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

更新时间:2024-4-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
15000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-323
45000
热卖优势现货
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-323
354000
NEC
1738+
TO-220
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
RENESAS/瑞萨
2013+PB
SOT-323
15000
原装正品 可含税交易
NEC
23+
TO-220
35890
RENESAS/瑞萨
21+
SOT323
13880
公司只售原装 支持实单
Renesas
2020+
SOT323
18800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!
RENESAS/瑞萨
SOT-323
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
RENESAS-瑞萨
24+25+/26+27+
SOT-323
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

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    2021-6-24
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    属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

    2020-11-12
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