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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SK3353

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •LowCiss:Ciss=4650pFTYP. •Built-in

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SK3353

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) ●LowCiss:Ciss=4650pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SK3353

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •Lo

RENESASRenesas Electronics America

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RENESAS
2SK3353

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：333.31 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3353-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •Lo

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •LowCiss:Ciss=4650pFTYP. •Built-in

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2SK3353-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •LowCiss:Ciss=4650pFTYP. •Built-in

NECRenesas Electronics America

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2SK3353-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •Lo

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2SK3353-ZJ

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3353isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4V,ID=41A) •Lo

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2SK3353_15

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：224.05 Kbytes Page：10 Pages

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RENESAS
2SK3353-AZ

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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2SK3353-S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3353-Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：401.5 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3353-Z-E1-AZ

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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2SK3353产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3353

  • 制造商

    KEXIN

  • 制造商全称

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述

    MOS Field Effect Transistor

2SK3353供应商更多...

更新时间：2024-4-24 13:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市新力诚科技有限公司
2SK3353
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2SK3353
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2SK3353
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2SK3353
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2SK3353
NEC
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TO263
880000
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无锡固电半导体股份有限公司
2SK3353
isc
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