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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3307isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=35A) •LowCiss:Ciss=46

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3307isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=9.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=35A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=35A) •

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SK3307-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3307-A

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Nch MOSFET,60V,70A,7,5m ohm,TO-3P

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

更新时间:2024-4-19 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
NA/
67
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEC
23+
TO-3P
7600
全新原装现货
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22+
TO-3P
7992
原装现货
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22+23+
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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08+(pbfree)
TO-3P
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    属性参数值 商品目录结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C时)50mA 漏源电压(Vdss)15V 类型N沟道 最大功率耗散(Ta=25°C)200mW

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