您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第1179页 > 2SD2012

2SD2012晶体管资料

  • 2SD2012别名：2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管

  • 2SD2012生产厂家：日本东芝公司

  • 2SD2012制作材料：Si-NPN

  • 2SD2012性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 2SD2012封装形式：直插封装

  • 2SD2012极限工作电压：60V

  • 2SD2012最大电流允许值：3A

  • 2SD2012最大工作频率：3MHZ

  • 2SD2012引脚数：3

  • 2SD2012最大耗散功率：25W

  • 2SD2012放大倍数：β=100-320

  • 2SD2012图片代号：B-45

  • 2SD2012vtest：60

  • 2SD2012htest：3000000

  • 2SD2012atest：3

  • 2SD2012wtest：25

  • 2SD2012代换 2SD2012用什么型号代替：BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD2012

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD2012

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD2012isasiliconNPNpowertransistorhousedinTO-220Finsulatedpackage.Itisintededforpowerlinearandswitchingapplications. ■HIGHDCCURRENTGAIN ■LOWSATURATIONVOLTAGE ■INSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING APPLICATIONS ■GENERALPURPOSEPOWERAMPLIFIERS ■G

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2SD2012

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SD2012

NPNSiliconPowerTransistors

Features ·HighDCCurrentGain:hFE(1)=100(Min.) ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.) ·HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25OC) ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SD2012

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SD2012

SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),Hightotalpowerdissipation,complementarypairwith2SB1375. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SD2012

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SD2012

TO-220FPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifierapplications ●HighDCcurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highpowerdissipation

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SD2012

SiliconNPNPowerTransistors

文件：205.36 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SD2012

SiliconNPNTripleDiffusedType

文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD2012

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2SD2012

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD2012

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR

文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2SD2012FM

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD2012_03

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR

文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
2SD2012_06

SiliconNPNTripleDiffusedType

文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD2012_09

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SD2012-BP

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC

2SD2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2012

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD2012供应商更多...

更新时间：2024-4-25 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
上海意淼电子科技有限公司
2SD2012
TOS
23+
小功率三极管
20000
全新原装假一赔十
询价
深圳市中利达电子科技有限公司
2SD2012
CJ
22+
TO-220
172
长源创新-只做原装---假一赔十
询价
深圳市博浩通科技有限公司
2SD2012
TOSHIBA
23+
TO220
8890
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SD2012
TOSHIBA
1844+
TO-220F
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
深圳市弘为电子有限公司
2SD2012
TOS
16+
原厂封装
5500
原装现货假一罚十
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
2SD2012
TOSHIBA/东芝
23+
TO220F
9800
全新原装现货,假一赔十
询价
深圳市宝芯创电子有限公司
2SD2012
TOSHIBA/东芝
18+
TO220
20452
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司
2SD2012
TOSHIBA/东芝
22+
TO-220F
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
深圳市华瑞顺电子科技有限公司
2SD2012
CJ/长电
22+
TO-220F
12800
本公司只做进口原装!优势低价出售!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SD2012
CJ
20+
TO220
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价

2SD2012芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
  • EUROQUARTZ
  • Honeywell
  • MOLEX8
  • MPS
  • nichicon
  • nxp
  • POWERBOX
  • RECTRON
  • TAI-TECH
  • Winbond

2SD2012规格书下载地址

2SD2012参数引脚图相关

2SD2012数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示