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2SC5886	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5886	High-SpeedSwtchingApplications High-SpeedSwtchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) •High-speedswitching:tf=55ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5886A	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC5886A	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Highswitchingspeedtime ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·High-SpeedSwitchingApplications ·DC/DCConverterApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC5886A	High-SpeedSwitchingApplications High-SpeedSwitchingApplications DC/DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) •High-speedswitching:tf=95ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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更新时间：2024-4-19 10:18:01

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深圳市胜彬电子有限公司	2SC5886	TOSHIBA/东芝	22+	TO252	8000	原装正品支持实单	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	2SC5886	TOSHBIA	21+	SOT-252	35210	一级代理/放心采购	询价
深圳好佳好科技有限公司	2SC5886	TOSHIBA	360000	原厂原装	1305		询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	2SC5886	TOSHIBA	22+	TO252	360000	进口原装房间现货实库实数	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC5886	SANYO/三洋	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SC5886A	TOSHIBA/东芝	23+	TO-252	35680	只做进口原装QQ:373621633	询价

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