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位置：首页 > IC中文资料第614页 > 2SC3356

2SC3356晶体管资料

  • 2SC3356别名：2SC3356三极管、2SC3356晶体管、2SC3356晶体三极管

  • 2SC3356生产厂家：日本日电公司

  • 2SC3356制作材料：Si-NPN

  • 2SC3356性质：超高频/特高频 （UHF）

  • 2SC3356封装形式：贴片封装

  • 2SC3356极限工作电压：20V

  • 2SC3356最大电流允许值：0.1A

  • 2SC3356最大工作频率：7GHZ

  • 2SC3356引脚数：3

  • 2SC3356最大耗散功率：0.2W

  • 2SC3356放大倍数：

  • 2SC3356图片代号：H-15

  • 2SC3356vtest：20

  • 2SC3356htest：7000000000

  • 2SC3356atest：.1

  • 2SC3356wtest：.2

  • 2SC3356代换 2SC3356用什么型号代替：2SC3513,2SC3606,2SC3829,

2SC3356价格

参考价格：￥2.6540

型号：2SC3356-T1B-A 品牌：CEL 备注：这里有2SC3356多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC3356批发/采购报价，2SC3356行情走势销售排行榜，2SC3356报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC3356

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER(NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR)

DESCRIPTION The2SC3356isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz •High

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SC3356

iscSiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ·HighPowerGain MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ·DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC3356

NPNSiliconEpitaxialTransistor

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC3356

High-FrequencyAmplifierTransistorNPNSilicon

FEATURES *LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. *LowNoiseandHighGain *HighPowerGain

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SC3356

NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor

FEATURES •PowerDissipation •RoHSCompliantProduct

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC3356

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SC3356

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTC2SC3356isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverters,supplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.r

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold *Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz *Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC3356

SOT-23

High-FrequencyAmplifierTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

GSME
2SC3356

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain.MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS ●DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC3356

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain.MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS ●DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SC3356

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC3356

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

MAKOSEMI

MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

MAKOSEMI
2SC3356

NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold FEATURES •Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz •Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
2SC3356

LowNoiseandHighGain

DESCRIPTION The2SC3356isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

YEASHIN
2SC3356

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Lownoiseandhighpowergain. Applications lownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVbandapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC3356

NPNTransistors

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC3356

NPNSiliconRFTransistor

FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356

Itisanultra-high-frequencylow-noisetransistor,usingplanarNPNsiliconoutside

Description 2SC3356isanultra-highfrequencylow-noisetransistor,usingplanarNPNsiliconoutside. Extendedbipolarprocess.Ithashighpowergain,lownoisefigure,largedynamicrangeandidealcurrentcharacteristics. Use SOT-23/SC-59SMDpackage,mainlyusedinVHF,UHFandCATVhi

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
2SC3356

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：211.94 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356

NPNSiliconRFTransistor

文件：200.75 Kbytes Page：9 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC3356

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：197.13 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

文件：634.15 Kbytes Page：4 Pages

JINGHENG

Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

JINGHENG
2SC3356-A

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold *Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz *Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC3356B

NPNSiliconRFTransistor

FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356D

NPNSiliconRFTransistor

FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356F

NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES •LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. •LowNoiseandHighGain •HighPowerGain

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC3356-G

GeneralPurposeTransistor

Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
2SC3356Q-G

GeneralPurposeTransistor

Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
2SC3356-R23

NPNTransistors

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC3356-R24

NPNTransistors

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC3356-R25

NPNTransistors

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC3356-R26

NPNTransistors

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC3356R-G

GeneralPurposeTransistor

Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
2SC3356S-G

GeneralPurposeTransistor

Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
2SC3356-T1B

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold *Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz *Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC3356-T1B-A

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforMicrowaveLow-NoiseAmplification3-pinMinimold *Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz *Highpowergain:MAG=13dBTYP.@VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC3356W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP, Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=13dBTYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC3356_09

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：197.13 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356_11

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：211.94 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356_15

NPNSiliconRFTransistor

文件：200.75 Kbytes Page：9 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC3356_15

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：248.83 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356_15

TRANSISTOR(NPN)

文件：128.69 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC3356-3

NPNTransistors

文件：1.31899 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC3356A

NPNSILICONRFTRANSISTOR

文件：512.19 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356AB

NPNSILICONRFTRANSISTOR

文件：512.19 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356AC

NPNSILICONRFTRANSISTOR

文件：512.19 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356G-X-AE3-R

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：197.13 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356-HF

NPNTransistors

文件：1.309 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC3356-HF-3

NPNTransistors

文件：1.41498 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC3356K

NPNSiliconRFTransistor

文件：829.39 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356KB

NPNSiliconRFTransistor

文件：829.39 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356KC

NPNSiliconRFTransistor

文件：829.39 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356KD

NPNSiliconRFTransistor

文件：829.39 Kbytes Page：3 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC3356L-A

GENERALPURPOSETRANSISTOR,NPNSILICONRFTRANSISTOR

文件：322.39 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SC3356L-B

GENERALPURPOSETRANSISTOR,NPNSILICONRFTRANSISTOR

文件：322.39 Kbytes Page：6 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SC3356L-X-AE3-R

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：248.83 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356L-X-AE3-R

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：211.94 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356L-X-AE3-R

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIER

文件：197.13 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC3356-R23

NPNTransistors

文件：1.31899 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SC3356产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3356

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SC3356供应商更多...

更新时间：2024-4-20 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市勤思达科技有限公司
2SC3356-R25
NEC/国产
23+
SOT-23-3
8500
全新原装现货,公司只做原装
询价
深圳市英特法电子科技有限公司
2SC3356-R24
NEC
2023+
SOT-23
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
深圳市芯福林电子科技有限公司
2SC3356-T1B-A
RENESAS/瑞萨
21+
SC59
13880
公司只售原装,支持实单
询价
易创佳业科技（深圳）有限公司
2SC3356-T1B-A
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
9990
原装正品，支持实单
询价
深圳市杰顺创科技有限公司
2SC3356-T1B
NEC
21+
SOT23
3800
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
2SC3356-T1B
NEC
23+
SOT-23
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司
2SC3356/R25/R24
23+
N/A
90450
正品授权货源可靠
询价
深圳市天芯威科技有限公司
2SC3356
TECHPUBLIC/台舟
23+
SOT-23
15800
新到现货,只有原装
询价
深圳市环球伟业电子有限公司
2SC3356-T1-A
NEC/Renesas Electronics Americ
21+
SOT23
305000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市亿顺芯科技有限公司
2SC3356-T1B其他被动元件
NEC
22+
SOT23
20000
硅原只售全新原装,提供技术支持!
询价

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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-3-23

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    只做原装假一赔十

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    2SC2334中文资料

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    2SC2859中文资料

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