2SC3326晶体管资料

  • 2SC3326别名:2SC3326三极管、2SC3326晶体管、2SC3326晶体三极管

  • 2SC3326生产厂家:日本东芝公司

  • 2SC3326制作材料:Si-NPN

  • 2SC3326性质:表面帖装型 (SMD)_通用型 (Uni)_UEB

  • 2SC3326封装形式:贴片封装

  • 2SC3326极限工作电压:50V

  • 2SC3326最大电流允许值:0.3A

  • 2SC3326最大工作频率:30MHZ

  • 2SC3326引脚数:3

  • 2SC3326最大耗散功率

  • 2SC3326放大倍数

  • 2SC3326图片代号:H-15

  • 2SC3326vtest:50

  • 2SC3326htest:30000000

  • 2SC3326atest:.3

  • 2SC3326wtest:0

  • 2SC3326代换 2SC3326用什么型号代替:2SC2411K,2SC3134,2SC3661,2SD780,2SD1328,3DG130C,

2SC3326价格

参考价格:¥0.4191

型号:2SC3326-A,LF 品牌:Toshiba 备注:这里有2SC3326多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SC3326批发/采购报价,2SC3326行情走势销售排行榜,2SC3326报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC3326

SiliconNPNEpitaxial

Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC3326

NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC3326

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC3326

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC3326

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC3326

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications

文件:512 Kbytes Page:5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 20V 0.3A TO236 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 20V 0.3A TO236 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3326

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    NPN EPITAXIAL TYPE(FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)

更新时间:2024-4-25 23:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSH
98+
SOT23
1785
全新原装进口自己库存优势
TOSH
23+
SOT23
20000
全新原装假一赔十
TOSHIBA
2020+
SOT23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
TOSHIBA
20+
SOT-23
69680
全新原装热卖
TOSHIBA/东芝
22+
SOT-23
100000
代理渠道/只做原装/可含税
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
原装正品,支持实单
NEC
23+
SOT23
20000
原厂原装正品现货
TOSHIBA/东芝
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8800
公司只做原装正品
TOSHIBA(东芝)
23+
SOT23
6000
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-23
54258
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!

2SC3326芯片相关品牌

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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.

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