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2SC2712晶体管资料

  • 2SC2712别名：2SC2712三极管、2SC2712晶体管、2SC2712晶体三极管

  • 2SC2712生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC2712制作材料：Si-NPN

  • 2SC2712性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 2SC2712封装形式：贴片封装

  • 2SC2712极限工作电压：60V

  • 2SC2712最大电流允许值：0.15A

  • 2SC2712最大工作频率：150MHZ

  • 2SC2712引脚数：3

  • 2SC2712最大耗散功率：

  • 2SC2712放大倍数：

  • 2SC2712图片代号：H-15

  • 2SC2712vtest：60

  • 2SC2712htest：150000000

  • 2SC2712atest：.15

  • 2SC2712wtest：0

  • 2SC2712代换 2SC2712用什么型号代替：BC846,BCV71,BCV72,2SC3323,2SC3340,

2SC2712价格

参考价格：￥0.1383

型号：2SC2712-GR,LF 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC2712多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC2712批发/采购报价，2SC2712行情走势销售排行榜，2SC2712报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC2712

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC2712

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SC2712

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). ●Complementaryto2SA1162. ●Highvoltageandhighcurrent. ●HighhFElinearity. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712

SiliconNPNEpitaxialTypeTransistor

Features ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70700 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC2712

TRANSISTOR(NPN)

FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SC2712

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10db(Max.) •Complementsofthe2SA1162

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC2712

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162 •AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SC2712

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) Features ●AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ●Complementaryto2SA1162

HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd

苏海德半导体苏海德半导体有限公司

HDSEMI
2SC2712

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) Complementaryto2SA1162

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH
2SC2712

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PRF-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE ●Complemento2SA1037 ●Collector-current:Ic=100mA ●Collector-EmillerVoltage:VCE=45V ●HighTotalpowerDissipationPc=225mW ●HighlifeAndGoodLinearity

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC2712

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •WithSOT-23packaging •Highcollector-basevoltage •Highpowerdissipation •Lowsaturationvoltage •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC2712

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURE ·LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ·Complementaryto2SA1162 ·AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

UMWUMW

友台友台半导体

UMW
2SC2712

GENERALPURPOSETRANSISTORNPN150mW150mA50V

文件：644.62 Kbytes Page：5 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SC2712

NPNTransistors

文件：556.14 Kbytes Page：3 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC2712

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

文件：924.53 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC2712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：170.61 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712

Plastic-EncapsulateTransistors

文件：482.23 Kbytes Page：3 Pages

SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.

赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司

SHENZHENSLS
2SC2712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：1.07182 Mbytes Page：2 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SC2712

NPNEpitaxialPlanarTransistor

文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC2712

SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)

文件：295.63 Kbytes Page：2 Pages

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

RECTRON
2SC2712

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)

文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC2712BL

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SC2712BL

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-BL

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SC2712-G-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712GR

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SC2712GR

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-GR

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SC2712GRTE85L

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC2712GT1G

MediumFrequencyNPNAmplifierTransistor50V,200mA,80MHz

The2SC2712GT1Gisdesignedforlowtomediumfrequencyapplicationssuchaswirelesstoys.ThetargeteddesignenablesimprovedperformanceversustheindustrystandardMMBT3904*insomekeyparametricspecifications. Features •LowerVCE(sat)* •HigherGain(hfe)* •HigherBreakdow

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC2712-L-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-G-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-L-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-O-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-X-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-Y-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712O

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-O

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SC2712-O-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712Q

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SC2712-X-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712Y

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SC2712Y

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-Y

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SC2712-Y-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712_07

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)

文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC2712_07

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712_09

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712_11

NPNEpitaxialPlanarTransistor

文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC2712_13

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：170.61 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712_15

NPNEpitaxialPlanarTransistor

文件：374.4 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC2712_15

NPNTransistors

文件：1.0814 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC2712_15

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

文件：99.97 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC2712-BL

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

文件：277.69 Kbytes Page：3 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SC2712-BL,LXHF

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 50V 0.15A SMINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712G

GENERALPURPOSETRANSISTORNPN150mW150mA50V

文件：644.62 Kbytes Page：5 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
2SC2712-G

NPNTransistors

文件：1.0814 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SC2712产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC2712

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    50V, 150mA, NPN BJT

2SC2712供应商更多...

更新时间：2024-4-24 12:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
标准国际(香港)有限公司
2SC2712-GR(T5LSOYF)
TOSHIBA
LEAD FREE
458
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深圳市勤思达科技有限公司
2SC2712-GR(TE85L.F
TOSHIBA
2024
SOT23
12227
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深圳市航宇科工半导体有限公司
2SC2712G-G-AE3-R
UTC/友顺
22+
SOT23
600000
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!
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深圳市亿顺芯科技有限公司
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TOSHIBA/东芝
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深圳兆威电子有限公司
2SC2712-Y
TOSHIBA/东芝
15+
SOT-23
50000
原装进口现货,假一罚十
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
2SC2712
UMW 友台
23+
SOT-23-3
44000
原装正品，实单请联系
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SC2712-GR
TOSHIBA
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SOT-23
75000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳市华博特电子有限公司
2SC2712G-L-AE3-R
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SOT23
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20年老代理.原厂技术支持
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北京芯时代电子科技发展有限公司
2SC2712-Y/LF(B
Toshiba
21+
32945
价格以询价为主,东芝代理官网可查
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深圳市坤融电子科技有限公司
2SC2712-Y
TOSHIBA/东芝
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