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位置：首页 > IC中文资料第392页 > 2SB150

2SB150晶体管资料

  • 2SB150别名：2SB150三极管、2SB150晶体管、2SB150晶体三极管

  • 2SB150生产厂家：日本东芝公司

  • 2SB150制作材料：Ge-PNP

  • 2SB150性质：开关管 （S）

  • 2SB150封装形式：直插封装

  • 2SB150极限工作电压：105V

  • 2SB150最大电流允许值：0.04A

  • 2SB150最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB150引脚数：3

  • 2SB150最大耗散功率：0.05W

  • 2SB150放大倍数：

  • 2SB150图片代号：C-47

  • 2SB150vtest：105

  • 2SB150htest：999900

  • 2SB150atest：.04

  • 2SB150wtest：.05

  • 2SB150代换 2SB150用什么型号代替：ACY39,2N2042,2N2043,3AX54D,

2SB150价格

参考价格：￥4.8234

型号：2SB15040QA 品牌：Panasonic Electronic Com 备注：这里有2SB150多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB150批发/采购报价，2SB150行情走势销售排行榜，2SB150报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1502

SiliconPNPepitaxialplanartypeDarlington

SiliconPNPepitaxialplanartypeDarlington Forpoweramplification Complementaryto2SD2275 ■Features ●Optimumfor55WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1502

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@lc=-4A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(satr-2.5V(Max.)@lc=-4A •ComplementtoType2SD2275 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications •Optimumfor55WHiFioutputapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1502

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-4A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max.)@IC=-4A •ComplementtoType2SD2275 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1503

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@lc=-7A •Low-CollectorSaturationVoltage- :VcE•ComplementtoType2SD2276 •ComplementtoType2SD2276 APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications •Optimumfor11OWHiFioutputapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1503

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=5000(Min)@IC=-7A ·Low-CollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.5V(Max.)@IC=-7A ·ComplementtoType2SD2276 APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications ·Optimumfor110WHiFioutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1503

SiliconPNPepitaxialplanartypeDarlington(Forpoweramplification)

Forpoweramplification Complementaryto2SD2276 ■Features ●Optimumfor110WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1503

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SD2276 ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forpoweramplification ·Optimumfor110WHi-Fioutputapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1504

SiliconPNPepitaxialplanartypedarlington

SiliconPNPepitaxialplanartypedarlington Forpowerswitching •HighforwardcurrenttransferratiohFE •High-speedswitching •Allowingautomaticinsertionwithradialtaping

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1507

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.4(V)(Max)@IC=-4A •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2280 APPLICATIONS •Designedforrelaydrivers,high-speedinverters,converters.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1507

High-CurrentSwitchingApplications

50V/7AHigh-CurrentSwitchingApplications Features •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=(–)0.4Vmax. •WideASOandhighlyregistanttobreakdown. •Micalesspackagefacilitatingeasymounting. Applications •Relaydrivers,high-speedinverters,converters.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1507

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PMLpackage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SD2280 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinrelaydrivers,high-speedInverters,converters

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1507

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.4(V)(Max)@IC=-4A •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2280 APPLICATIONS •Designedforrelaydrivers,high-speedinverters,converters.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1508

High-CurrentSwitchingApplications

Features •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage: VCE(sat)=–0.5V(PNP),0.4V(NPN)max. •WideASOandhighlyregistanttobreakdown. •Micalesspackagefacilitatingeasymounting. Applications •Relaydrivers,high-speedinverters,converters.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1508

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PMLpackage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SD2281 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinrelaydrivers,high-speedInverters,converters

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1508

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PMLpackage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SD2281 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinrelaydrivers,high-speedInverters,converters

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1508

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PMLpackage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SD2281 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Foruseinrelaydrivers,high-speedInverters,converters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1508

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltageVCE(sat)=-05(V){Max)@lc=-6A •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2281 APPLICATIONS •Designedforrelaydrivers,high-speedinverters,converters.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1509

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5(V)(Max)@IC=-8A ·GoodLinearityofhFE ·WideAreaofSafeOperation ·ComplementtoType2SD2282 APPLICATIONS ·Designedforrelaydrivers,high-speedinverters,converters.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1509

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Complementtotype2SD2282 ·Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS ·Foruseinrelaydrivers,high-speedInverters,converters

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1509

High-CurrentSwitchingApplications

Features ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage: VCE(sat)=–0.5Vmax. ·WideASOandhighlyregistanttobreakdown. ·Micalesspackagefacilitatingeasymounting. Applications ·Relaydrivers,high-speedinverters,converters.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SB1503

SiliconPNPPowerTransistors

文件：115.65 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB15040QA

封装/外壳：3-SIP 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP DARL 50V 8A MT-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Panasonic Electronic Components

Panasonic Electronic Components

Panasonic Electronic Components
2SB15040RA

封装/外壳：3-SIP 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP DARL 50V 8A MT-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Panasonic Electronic Components

Panasonic Electronic Components

Panasonic Electronic Components
2SB1505

1.2WPACKAGEPOWERTAPEDTRANSISTORDESIGNEDFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMECHINE

文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1507

SiliconPNPPowerTransistors

文件：164.38 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1508

SiliconPNPPowerTransistors

文件：212.17 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1508_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：215.29 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1508_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：215.29 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1509

SiliconPNPPowerTransistors

文件：164.49 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

2SB150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB150

  • 功能描述

    TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

2SB150供应商更多...

更新时间：2024-4-18 15:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市环球伟业电子有限公司
2SB1514
ROHM/Rohm Semiconductor/罗姆/
21+
SOT252
5000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市纳立科技有限公司
2SB1508R
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价
艾睿国际（香港）有限公司
2SB1514
ROHM/罗姆
2021+
SOT252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SB1514
ROHM/罗姆
22+
SOT252
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
2SB1514
ROHM/罗姆
23+
SOT252
8000
只做原装现货
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
2SB1514
ROHM
SOT252
608900
原包原标签100%进口原装常备现货!
询价
深圳廊盛科技有限公司
2SB1514
ROHM/罗姆
2022
SOT252
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
询价
深圳市科思奇电子科技有限公司
2SB1510
ROHM
22+
TO263
360000
进口原装房间现货实库实数
询价
深圳市航润创能电子集团有限公司
2SB1514
ROHM
21+
SOT252
5000
原装现货假一赔十
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1514
ROHM/罗姆
23+
NA/
5000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价

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  • DATADELAY
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